最近の報道によると、世界最大の半導体装置メーカーであるASMLは、今後10年間のチップ業界に備えるため、次世代のHyper NA EUV先進リソグラフィー装置の開発を開始した。
ヨス・ベンショップ氏は、ASMLとその独占的光学パートナーであるカールツァイスが、1回の露光で5nmという微細な解像度で印刷できるEUVリソグラフィー装置を研究しており、これは2035年以降のプロセス要件を満たすことができると語った。
ASMLが現在出荷している最先端のリソグラフィー装置は、8nmの単一露光解像度を実現できると報告されています。以前の古いリソグラフィー機械では、同様の解像度を実現するために複数回の露光を実行する必要があり、非効率的であるだけでなく、歩留まりも限られていました。
ベンショップ氏は、ASMLがツァイスと共同で開口数（NA）0.7以上の実現を目標に設計研究を進めており、市場投入の具体的な時期はまだ決まっていないと指摘した。
開口数 (NA) は、光学系が光を集めて焦点を合わせる能力を測定するための重要な指標であり、回路パターンをウェハ上に正確に投影できるかどうかを決定する重要な要素でもあります。 NA が大きく、光の波長が短いほど、印刷解像度は高くなります。
現在の標準的なEUVリソグラフィー装置のNAは0.33ですが、最新世代のHigh NA EUVは0.55まで向上しています。現在、ASML は NA 0.7 または超高 NA (Hyper NA) に向けて進んでいます。
